氮化镓 (GaN)

Doug Carlson采访

射频和微波部门高级副总裁兼总经理Doug Carlson博士介绍MACOM和STMicroelectronics如何将硅基氮化镓技术应用于主流射频市场和应用

最近新闻

MACOM and STMicroelectronics to Bring GaN on Silicon to Mainstream RF Markets and Applications 

硅基氮化镓可靠性和质量报告

A summary analysis of application-specific stress testing methodologies and results demonstrating the reliability of Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si) RF power transistors for commercial wireless basestation infrastructure

Product Spotlight

MAGx-101214-500L00 500 W硅基氮化镓功率晶体管专为L波段脉冲雷达应用而优化。

用于无线基站的GaN技术

wireless-resize150x112.PNG

为了满足最苛刻的带宽、性能和效率需求,MACOM公司针对无线基础设施的半导体解决方案在集成性、易用性和成本有效性方面设置了新的标准。
了解更多

Gallium Nitride (GaN)

GaN技术

简介

MACOM致力于推动GaN在主流应用中实现商业化,在这一领域发挥着重要的领导作用。我们提供射频和微波行业中唯一包含硅基氮化镓 (GaN on Si) 的产品组合,这些产品提供丰富的封装选择并且适合脉冲和连续波应用,使我们确立了在所有最终市场应用中的领先地位。

性能

考虑到GaN技术的成熟程度,我们知道如今硅基氮化镓 (GaN on Si) 技术的功率密度至少为现有GaAs技术原始功率密度的8倍,同时还将效率从中等的40%提高至最高70%。我们相信在技术成熟时,与GaAs相比,GaN技术至少能够将6寸手机晶圆厂的成本降低2到3倍。

商业化

GaN技术现在正在从专业化、政府资助型技术向高容量商业支柱技术过渡。硅行业的规模比GaAs手机市场高出两个数量级,借助这种规模,我们可以很快地将GaN技术应用到成本敏感型应用中。当技术成熟时,我们相信硅基氮化镓 (GaN on Si) 技术可从硅的成本结构中获益,原因是硅的成本比当今最高容量的GaAs低3倍,比当今碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 技术低100倍。

特色博客

日常生活中的射频能量第4部分:工业加热和干燥用氮化镓

氮化镓(GaN)和RF(射频)能量应用将为工业市场带来重大变革。我们研究了氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程,将在日常生活中的射频能量第4部分中研究氮化镓如何用于工业加热和干燥。了解更多信息

转换网络

特色博客

日常生活中的射频能量第4部分:工业加热和干燥用氮化镓

氮化镓(GaN)和RF(射频)能量应用将为工业市场带来重大变革。我们研究了氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程,将在日常生活中的射频能量第4部分中研究氮化镓如何用于工业加热和干燥。了解更多信息

转换网络

Gen4cardRFEnergy_zh_CN200x154.png

射频能量联盟

MACOM是射频能量联盟的成员。了解更多信息

MACOM的射频能量应用提供超高效率和增益。了解更多信息 

揭秘氮化镓

Debunking-resize100x137.PNG用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。

从此处下载

 
X

继续使用本网站,即表示您同意根据我们的 Cookie政策 使用cookie