砷化镓 (GaAs)

MACOM致力于发展砷化镓技术

“过去的20多年中,GaAs FET/pHEMT技术已经在射频、微波和毫米波市场清楚地展示了诸多行业领先的MMIC功能,这些功能正用于实现高性能的军用和商业应用。立足于数十年的专业技术,MACOM必将继续保持在所有这些领域的领军地位。”

Tim Boles

DFT
State-of-the-art GaAs Technology Fuels Broadband Performance

砷化镓技术

与硅相比,砷化镓 (GaAs) 具有更为优越的电性能,例如更快的电子的饱和速度和更快的电子迁移率,使得GaAs晶体管可以工作到超过250GHz频率。GaAs的带隙较宽,很容易在单层GaAs上制造有源和关键的无源器件,因而是单片微波集成电路 (MMIC) 的理想制造材料。

在过去超过30年里,MACOM一直是GaAs领域的世界领导厂商,推动领先的GaAs制造技术,制造高性能分立器件、控制元件、混合信号处理和转换器、驱动器放大器、CATV放大器、LNA,以及单一用途和多功能MMIC功率放大器。MACOM曾发布首个支持大规模量产商业应用需求的赝配高电子迁移率晶体管 (pHEMT)。目前,MACOM致力于通过栅宽0.5 mm和0.25 mm的PH4和PH6功率工艺促进pHEMT的设计和开发。实践证明,这些工艺具有极强的通用性,并持续展示其在制造适合航空航天和国防以及商业应用的多功能MMIC方面一流的性能。

  • 电学性能优于硅技术
  • 可用于实现250 GHz以上的宽带性能
  • 带隙较宽,阻抗高
  • 噪声耗损更低
  • 抗辐射损伤

主要应用:

  • 工业、科学和医疗
  • 全球定位系统
  • CATV和有线宽带
  • 无线回传
  • 航空航天与国防
  • 卫星通信