磷化铟 (InP)

MACOM致力于发展磷化铟技术

“MACOM依托磷化铟技术夺得在光电子解决方案领域的首席供应商地位,时至今日,我们的产品组合已扩展到包含InP激光器等众多光子产品。借助高度差异化的蚀刻面技术,以广泛的专利及强大的知识产权为支撑,我们如今能够帮助客户解决最困难的问题,同时显著降低系统成本。” 

John Croteau

总裁兼CEO

光电子和光子产品组合

InP technology enables Optical Communications

磷化铟技术

磷化铟 (InP) 是促使光学系统能够提供数据中心、移动回传、都市和远距离通信应用所需性能的一种关键性半导体材料。采用InP制造的激光器、光电二极管和波导管能够以玻璃光纤的最佳传输窗口工作,从而可实现高效的光纤通信。与传统的半导体制造相似,MACOM专有的蚀刻面技术 (EFT) 也允许晶圆级测试。EFT可实现激光器的高成品率、高性能且更可靠。

MACOM依托InP技术,在市场上独领风骚,成为激光器等光子器件及高速调制器驱动器等光电子产品的首要供应商。

主要优势:

采用MACOM专利蚀刻面技术 (EFT) 的InP激光二极管

  • 可扩展:InP晶圆的直径最高可达4英寸,基于每个尺寸的晶圆都可制造出大量器件。
  • 高速:借助采用InP晶圆的直接调制激光器可实现超过25 Gbps的数据速率。
  • 可靠:可以在InP晶圆上沉积多种半导体晶体,从而有助于制造温度范围宽且可靠性高的器件。
  • 用途广:InP的折射率低,可用作激光器波导管的保护层。
  • 最优:InP是一种直接带隙材料,可用于制造吸收或发射光纤通信光谱中两种最佳波长(即1310和1550 nm波)的单一或集成器件。
  • 未来应用:InP是制造新兴硅光子产品的激光源的首选材料。

激光器和调制器驱动器等采用InP HBT技术的光电子产品

  • 小面积即可实现高增益设计,从而可用单晶片取代多晶片方案。
  • 较Si/Ge有更高的击穿电压,允许更高的输出能力
  • 具有高ft/fmax,支持高达45 Gbs的传输速度
  • 具有良好的线性度和低噪声。

主要应用:

激光二极管用于::

  • 硅光子
  • 数据中心
  • 移动回传
  • 接入网络
  • 城域市场
调制器驱动器用于
  • 100 G和400 G相干网络
  • 城域网络
  • 数据中心

链接

Spotlight

Quad Channel 32 Gbps Linear Modulator Driver

The MAOM-03417B is a high performance quad channel linear modulator driver for 100 Gbps and 200 Gbps applications.

白皮书

特色白皮书

其他白皮书/视频