氮化镓 (GaN)

高功率GaN产品组合

射频能量联盟

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用于无线基站的GaN技术

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为了满足最苛刻的带宽、性能和效率需求,MACOM公司针对无线基础设施的半导体解决方案在集成性、易用性和成本有效性方面设置了新的标准。
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揭秘GaN

Debunking-resize100x137.PNG用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。

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GaN技术

简介

MACOM致力于推动GaN在主流应用中实现商业化,在这一领域发挥着重要的领导作用。我们提供射频和微波行业中唯一包含硅基氮化镓 (GaN on Si) 的产品组合,这些产品提供丰富的封装选择并且适合脉冲和连续波应用,使我们确立了在所有最终市场应用中的领先地位。

性能

考虑到GaN技术的成熟程度,我们知道如今硅基氮化镓 (GaN on Si) 技术的功率密度至少为现有GaAs技术原始功率密度的8倍,同时还将效率从中等的40%提高至最高70%。我们相信在技术成熟时,与GaAs相比,GaN技术至少能够将6寸手机晶圆厂的成本降低2到3倍。

商业化

GaN技术现在正在从专业化、政府资助型技术向高容量商业支柱技术过渡。硅行业的规模比GaAs手机市场高出两个数量级,借助这种规模,我们可以很快地将GaN技术应用到成本敏感型应用中。当技术成熟时,我们相信硅基氮化镓 (GaN on Si) 技术可从硅的成本结构中获益,原因是硅的成本比当今最高容量的GaAs低3倍,比当今碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 技术低100倍。

转换网络

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300W MACOM GaN功率晶体管

该设备打开了一个巨大的市场机遇——将固态射频能量用作一种高效、精确的热源和电源,可进行广泛的商业应用,例如:微波炉、汽车点火和照明系统以及包括射频等离子照明、材料干燥、血液和组织加热和消融等在内的工业、科学和医疗(ISM)应用。